IGCT, nueva tecnología para convertidores de alta potencia y bajo coste n° 5

Los tiristores IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) aúnan las excepcionales prestaciones de los tiristores GTO con mando integrado y una serie de avances tecnológicos del dispositivo propiamente dicho y del mando de puerte, lo que abre interesantes perspectivas para gran número de aplicacione...

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Podrobná bibliografie
Další autoři: Steimer, Peter K., Gruning, Horst E. (Coautor), Werninger, Johannes (Coautor), Carroll, Eric (Coautor), Klaka, Sven (Coautor), Linder, Stefan (Coautor)
Médium: Článek
Jazyk:Spanish
Edice:Revista ABB
Témata:
Popis
Shrnutí:Los tiristores IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) aúnan las excepcionales prestaciones de los tiristores GTO con mando integrado y una serie de avances tecnológicos del dispositivo propiamente dicho y del mando de puerte, lo que abre interesantes perspectivas para gran número de aplicaciones. Se ha desarrollado una nueva gama de dispositivos IGCT para aplicaciones de entre 0,5 y varios cientos de MVA, con posibilidad de extensión hasta varios centenares de MVA. El primer ondulador de 100 MVA con tecnología IGCT acaba de confirmar la excepcional fiabilidad de esta nueva tecnología
Vydáno:5/98
Fyzický popis:páginas: 34-42 ilu 30 cm
Četnost vydávání:Bimestral
ISSN:10133135