IGCT, nueva tecnología para convertidores de alta potencia y bajo coste n° 5

Los tiristores IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) aúnan las excepcionales prestaciones de los tiristores GTO con mando integrado y una serie de avances tecnológicos del dispositivo propiamente dicho y del mando de puerte, lo que abre interesantes perspectivas para gran número de aplicacione...

Descrición completa

Detalles Bibliográficos
Outros autores: Steimer, Peter K., Gruning, Horst E. (Coautor), Werninger, Johannes (Coautor), Carroll, Eric (Coautor), Klaka, Sven (Coautor), Linder, Stefan (Coautor)
Formato: Artigo
Idioma:Spanish
Series:Revista ABB
Subjects:
Descripción
Summary:Los tiristores IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) aúnan las excepcionales prestaciones de los tiristores GTO con mando integrado y una serie de avances tecnológicos del dispositivo propiamente dicho y del mando de puerte, lo que abre interesantes perspectivas para gran número de aplicaciones. Se ha desarrollado una nueva gama de dispositivos IGCT para aplicaciones de entre 0,5 y varios cientos de MVA, con posibilidad de extensión hasta varios centenares de MVA. El primer ondulador de 100 MVA con tecnología IGCT acaba de confirmar la excepcional fiabilidad de esta nueva tecnología
Publicado:5/98
Descrición Física:páginas: 34-42 ilu 30 cm
Frecuencia de Publicación:Bimestral
ISSN:10133135