IGCT, nueva tecnología para convertidores de alta potencia y bajo coste n° 5

Los tiristores IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) aúnan las excepcionales prestaciones de los tiristores GTO con mando integrado y una serie de avances tecnológicos del dispositivo propiamente dicho y del mando de puerte, lo que abre interesantes perspectivas para gran número de aplicacione...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Інші автори: Steimer, Peter K., Gruning, Horst E. (Coautor), Werninger, Johannes (Coautor), Carroll, Eric (Coautor), Klaka, Sven (Coautor), Linder, Stefan (Coautor)
Формат: Стаття
Мова:Spanish
Серія:Revista ABB
Предмети:
Опис
Резюме:Los tiristores IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) aúnan las excepcionales prestaciones de los tiristores GTO con mando integrado y una serie de avances tecnológicos del dispositivo propiamente dicho y del mando de puerte, lo que abre interesantes perspectivas para gran número de aplicaciones. Se ha desarrollado una nueva gama de dispositivos IGCT para aplicaciones de entre 0,5 y varios cientos de MVA, con posibilidad de extensión hasta varios centenares de MVA. El primer ondulador de 100 MVA con tecnología IGCT acaba de confirmar la excepcional fiabilidad de esta nueva tecnología
Опубліковано:5/98
Фізичний опис:páginas: 34-42 ilu 30 cm
Частота публікації:Bimestral
ISSN:10133135