Componentes electrónicos para aplicaciones de muy alta potencia n° 2

El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las no...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
অন্যান্য লেখক: Carroll, Eric I.
বিন্যাস: প্রবন্ধ
ভাষা:Spanish
মালা:Revista ABB
বিষয়গুলি:
বিবরন
সংক্ষিপ্ত:El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las novedades en el campo de los semiconductores y de la tecnología de encapsulado impulsarán la electrónica de potencia más y más hacia las aplicaciones de distribución de energía eléctrica. A medida que disminuye el coste por megawatio conmutado aumentarán la eficacia y la fiabilidad de los dispositivos
প্রকাশিত:2/99
দৈহিক বর্ননা:páginas: 4-11 ilu 30 cm
প্রকাশনার ফ্রিকোয়েন্সি:Bimestral
আইএসএসএন:10133135