Componentes electrónicos para aplicaciones de muy alta potencia n° 2
El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las no...
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বিন্যাস: | প্রবন্ধ |
ভাষা: | Spanish |
মালা: | Revista ABB
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বিষয়গুলি: |
সংক্ষিপ্ত: | El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las novedades en el campo de los semiconductores y de la tecnología de encapsulado impulsarán la electrónica de potencia más y más hacia las aplicaciones de distribución de energía eléctrica. A medida que disminuye el coste por megawatio conmutado aumentarán la eficacia y la fiabilidad de los dispositivos |
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প্রকাশিত: | 2/99 |
দৈহিক বর্ননা: | páginas: 4-11 ilu 30 cm |
প্রকাশনার ফ্রিকোয়েন্সি: | Bimestral |
আইএসএসএন: | 10133135 |