Componentes electrónicos para aplicaciones de muy alta potencia n° 2
El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las no...
| その他の著者: | |
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| フォーマット: | 論文 |
| 言語: | Spanish |
| シリーズ: | Revista ABB
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| 主題: |
| 要約: | El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las novedades en el campo de los semiconductores y de la tecnología de encapsulado impulsarán la electrónica de potencia más y más hacia las aplicaciones de distribución de energía eléctrica. A medida que disminuye el coste por megawatio conmutado aumentarán la eficacia y la fiabilidad de los dispositivos |
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| 出版事項: | 2/99 |
| 物理的記述: | páginas: 4-11 ilu 30 cm |
| 出版頻度: | Bimestral |
| ISSN: | 10133135 |