Componentes electrónicos para aplicaciones de muy alta potencia n° 2
El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las no...
| Kolejni autorzy: | |
|---|---|
| Format: | Artykuł |
| Język: | Spanish |
| Seria: | Revista ABB
|
| Hasła przedmiotowe: |
| Streszczenie: | El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las novedades en el campo de los semiconductores y de la tecnología de encapsulado impulsarán la electrónica de potencia más y más hacia las aplicaciones de distribución de energía eléctrica. A medida que disminuye el coste por megawatio conmutado aumentarán la eficacia y la fiabilidad de los dispositivos |
|---|---|
| Wydane: | 2/99 |
| Opis fizyczny: | páginas: 4-11 ilu 30 cm |
| Sposób wydania: | Bimestral |
| ISSN: | 10133135 |