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| LEADER |
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| 005 |
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| 008 |
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| 022 |
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|a 10133135
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| 040 |
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|b spa
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| 041 |
1 |
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|a spa
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| 082 |
0 |
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|a 621.3
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| 245 |
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|a Componentes electrónicos para aplicaciones de muy alta potencia
|c Eric I. Carroll. Traducción de Jesús Brugos-Meyer
|h imp
|n n° 2
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| 264 |
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|a Zurich
|b ABB Corporate Management Services AG
|c 1999
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| 300 |
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|a páginas: 4-11
|b ilu
|c 30 cm
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| 310 |
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|a Bimestral
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| 362 |
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|a 2/99
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| 490 |
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|a Revista ABB
|n 2/99
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| 520 |
3 |
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|a El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las novedades en el campo de los semiconductores y de la tecnología de encapsulado impulsarán la electrónica de potencia más y más hacia las aplicaciones de distribución de energía eléctrica. A medida que disminuye el coste por megawatio conmutado aumentarán la eficacia y la fiabilidad de los dispositivos
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| 650 |
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0 |
|a Electrónica
|9 9045
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| 650 |
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|a Alta potencia
|9 181104
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| 700 |
1 |
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|a Carroll, Eric I.
|9 181105
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| 773 |
0 |
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|0 si60
|9 si60
|a Carroll, Eric I.
|d Zurich ABB Corporate Management Services AG 1999
|o si60
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|x 10133135
|6 si60
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| 852 |
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|a UC-CDJBV
|c ESTANTERIA CERRADA
|f Donación
|k mariana.quezada
|l 1
|m General
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|c SERA
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