Componentes electrónicos para aplicaciones de muy alta potencia - Carroll, Eric I. (Revista ABB)
El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las novedades en el campo de los semiconductores y de la tecnología de encapsulado impulsarán la electrónica de potencia más y más hacia las aplicaciones de distribución de energía eléctrica. A medida que disminuye el coste por megawatio conmutado aumentarán la eficacia y la fiabilidad de los dispositivos