Componentes electrónicos para aplicaciones de muy alta potencia n° 2
El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las no...
| Άλλοι συγγραφείς: | |
|---|---|
| Μορφή: | Άρθρο |
| Γλώσσα: | Spanish |
| Σειρά: | Revista ABB
|
| Θέματα: |