Componentes electrónicos para aplicaciones de muy alta potencia n° 2
El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las no...
| Beste egile batzuk: | |
|---|---|
| Formatua: | Artikulua |
| Hizkuntza: | Spanish |
| Saila: | Revista ABB
|
| Gaiak: |