Componentes electrónicos para aplicaciones de muy alta potencia n° 2

El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las no...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Այլ հեղինակներ:	Carroll, Eric I.
Ձևաչափ:	Հոդված
Լեզու:	Spanish
Շարք:	Revista ABB
Խորագրեր:	Electrónica Alta potencia