Componentes electrónicos para aplicaciones de muy alta potencia n° 2

El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las no...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Kolejni autorzy:	Carroll, Eric I.
Format:	Artykuł
Język:	Spanish
Seria:	Revista ABB
Hasła przedmiotowe:	Electrónica Alta potencia