Componentes electrónicos para aplicaciones de muy alta potencia n° 2

El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las no...

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Bibliografiska uppgifter

Övriga upphovsmän:	Carroll, Eric I.
Materialtyp:	Artikel
Språk:	Spanish
Serie:	Revista ABB
Ämnen:	Electrónica Alta potencia