Componentes electrónicos para aplicaciones de muy alta potencia n° 2

El transistor IGBT [Insulate Gate Bipolar Transistor] y el tiristor IGCT [Integrated Gate Commutated Thyristor] serán, durante la próxima década, los componentes de electrónica de potencia preferidos para los dispositivos FACTS y otras aplicaciones de alta potencia en los mercados emergentes. Las no...

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書目詳細資料

其他作者:	Carroll, Eric I.
格式:	Article
語言:	Spanish
叢編:	Revista ABB
主題:	Electrónica Alta potencia